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Référence Digi-Key IXFN60N80P-ND
Quantité disponible 450
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN60N80P

Description MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Description étendue N-Channel 800V 53A 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFN60N80P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série PolarHV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 53 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 250nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 18000pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1040 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 140 mOhms à 30A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

13:06:56 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 26,97000 26,97
10 24,94800 249,48
25 22,92520 573,13
100 21,30660 2 130,66
250 19,55356 4 888,39
500 18,60956 9 304,78

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