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Référence Digi-Key IXFN55N50-ND
Quantité disponible 102
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN55N50

Description MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
Description étendue N-Channel 500V 55A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(K,X,N)55N50
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 330 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9400 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 625 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 90 mOhms à 27,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10
Autres Noms 470724

10:54:51 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 31,46000 31,46
10 29,10100 291,01
25 26,74160 668,54
100 24,85390 2 485,39
250 22,80900 5 702,25

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