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Référence Digi-Key IXFN38N100Q2-ND
Quantité disponible 10
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN38N100Q2

Description MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 38A 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IXFN38N100Q2
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Obsolète
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 250 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 890 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 250 mOhms à 19 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

19:02:52 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
10 46,83100 468,31

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