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Référence Digi-Key IXFN360N10T-ND
Quantité disponible 840
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN360N10T

Description MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Description étendue N-Channel 100V 360A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFN360N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 360 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 505 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 36000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 830 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,6 mOhms à 180 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

11:13:34 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 19,60000 19,60
10 17,81300 178,13
25 16,47720 411,93
100 15,14110 1 514,11
250 13,80516 3 451,29
500 12,91448 6 457,24

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