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Référence Digi-Key IXFN320N17T2-ND
Quantité disponible 324
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN320N17T2

Description MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
Description étendue N-Channel 170V 260A 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFN320N17T2
Produit représenté GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série GigaMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 170V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 260 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 640 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 45000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1070W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,2 mOhms à 60 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

08:18:40 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 34,60000 34,60
10 32,00500 320,05
25 29,40960 735,24
100 27,33340 2 733,34
250 25,08444 6 271,11

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