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Référence Digi-Key IXFN230N20T-ND
Quantité disponible 321
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN230N20T

Description MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Description étendue N-Channel 200V 220A 1090W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFN230N20T
Produit représenté GigaMOS™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série GigaMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 220 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 378 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 28000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1090 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7,5 mOhms à 60 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

17:33:35 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 25,39000 25,39
10 23,48900 234,89
25 21,58480 539,62
100 20,06120 2 006,12
250 18,41060 4 602,65
500 17,52180 8 760,90

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