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Référence Digi-Key IXFN200N07-ND
Quantité disponible 406
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN200N07

Description MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
Description étendue N-Channel 70V 200A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFN200N06/7
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 70V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 480 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 520 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6 mOhms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

01:25:31 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 24,29000 24,29
10 22,47100 224,71
25 20,64880 516,22
100 19,19090 1 919,09
250 17,61192 4 402,98
500 16,76166 8 380,83

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