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Référence Digi-Key IXFN180N10-ND
Quantité disponible 3 249
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN180N10

Description MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Description étendue N-Channel 100V 180A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFN180N10
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 360 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9100 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 600 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8 mOhms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10
Autres Noms 479462

11:50:23 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 26,90000 26,90
10 24,88400 248,84
25 22,86600 571,65
100 21,25190 2 125,19
250 19,50336 4 875,84
500 18,56182 9 280,91

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