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Référence Digi-Key IXFN110N60P3-ND
Quantité disponible 8
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN110N60P3

Description MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Description étendue N-Channel 600V 90A 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFN110N60P3
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, Polar3™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 245 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 18000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1500 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 56 mOhms à 55 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10
Autres Noms 625715

19:44:34 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 25,70000 25,70
10 23,76500 237,65
25 21,83800 545,95
100 20,29660 2 029,66
250 18,62664 4 656,66

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