Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFN110N60P3-ND
Quantité disponible 262
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN110N60P3

Description MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Description étendue N-Channel 600V 90A 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFN110N60P3
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, Polar3™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 245nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 18000pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1500 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 56 mOhms à 55A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
  • IXFN120N65X2 - IXYS | IXFN120N65X2-ND DigiKey Electronics
  • IXFN120N65X2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
  • Prix unitaire 26,84000
  • IXFN120N65X2-ND
  • IXFN160N30T - IXYS | IXFN160N30T-ND DigiKey Electronics
  • IXFN160N30T
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
  • Prix unitaire 20,89000
  • IXFN160N30T-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10
Autres Noms 625715

11:55:37 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 24,88000 24,88
10 23,01200 230,12
25 21,14640 528,66
100 19,65360 1 965,36
250 18,03656 4 509,14
500 17,16584 8 582,92

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires