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Référence Digi-Key IXFL38N100Q2-ND
Quantité disponible 127
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFL38N100Q2

Description MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 29A (Tc) 380W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFL38N100Q2
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 250 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13500 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 380 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 280 mOhms à 19 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur ISOPLUS264™
Boîtier ISOPLUS264™
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms 614235

15:45:51 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 40,94000 40,94
10 38,27900 382,79
25 35,40200 885,05
100 33,18950 3 318,95
250 30,97684 7 744,21

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