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Référence Digi-Key IXFK26N120P-ND
Quantité disponible 248
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFK26N120P

Description MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 26A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(K,X)26N120P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, PolarP2™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 6,5V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 225nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 16000pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 460 mOhms à 13A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-264AA (IXFK)
Boîtier TO-264-3, TO-264AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25

04:44:51 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 25,34000 25,34
10 23,43800 234,38
25 21,53800 538,45
100 20,01760 2 001,76
250 18,37056 4 592,64
500 17,48372 8 741,86

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