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Référence Digi-Key IXFK26N120P-ND
Quantité disponible 248
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFK26N120P

Description MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 26A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(K,X)26N120P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, PolarP2™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 6,5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 225 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 16000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 960 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 460 mOhms à 13 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-264AA (IXFK)
Boîtier TO-264-3, TO-264AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25

03:08:18 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 24,65000 24,65
10 22,79900 227,99
25 20,95000 523,75
100 19,47120 1 947,12
250 17,86912 4 467,28
500 17,00646 8 503,23

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