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Référence Digi-Key IXFK120N20-ND
Quantité disponible 155
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFK120N20

Description MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Description étendue N-Channel 200V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(X,K)120N20
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 8mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 300nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 9100pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 560W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 17 mOhms à 60A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-264AA (IXFK)
Boîtier TO-264-3, TO-264AA
 
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  • Prix unitaire 11,13000
  • IXFK170N20T-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25

08:03:47 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 18,07000 18,07
10 16,43200 164,32
25 15,19920 379,98
100 13,96700 1 396,70
250 12,73464 3 183,66
500 11,91304 5 956,52

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