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Référence Digi-Key IXFH6N100-ND
Quantité disponible 219
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH6N100

Description MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(H,M)6N90/100
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 2,5 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2600 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 180 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 Ohms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

13:42:25 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,31000 8,31
10 7,47800 74,78
25 6,81360 170,34
100 6,14870 614,87
250 5,65016 1 412,54
500 5,15160 2 575,80
1 000 4,48688 4 486,88

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