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Référence Digi-Key IXFH58N20-ND
Quantité disponible 117
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH58N20

Description MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Description étendue N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(H,M,T)42/50/58N20
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 4 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 220 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4400 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 40 mOhms à 29 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

09:10:11 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,08000 10,08
10 9,07700 90,77
25 8,27000 206,75
100 7,46330 746,33
250 6,85812 1 714,53
500 6,25298 3 126,49

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