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Référence Digi-Key IXFH320N10T2-ND
Quantité disponible 127
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH320N10T2

Description MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
Description étendue N-Channel 100V 320A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(H,T)320N10T2
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, TrenchT2™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 320 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 430 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 26000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1000 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,5 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

16:01:52 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,14000 12,14
10 10,92800 109,28
25 9,95640 248,91
100 8,98530 898,53
250 8,25672 2 064,18
500 7,52818 3 764,09

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