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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFH18N100Q3-ND
Quantité disponible 207
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH18N100Q3

Description MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 18A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFx18N100Q3
Produit représenté Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 6,5 V à 4 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 90 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4890 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 830 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 660 mOhms à 9 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

07:44:36 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 14,13000 14,13
10 12,84600 128,46
25 11,88280 297,07
100 10,91910 1 091,91
250 9,95560 2 488,90
500 9,31332 4 656,66

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