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Référence Digi-Key IXFH18N100Q3-ND
Quantité disponible 213
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH18N100Q3

Description MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 18A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFx18N100Q3
Produit représenté Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 6,5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 90nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4890pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 830W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 660 mOhms à 9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

10:53:45 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,69000 13,69
10 12,43900 124,39
25 11,50600 287,65
100 10,57320 1 057,32
250 9,64024 2 410,06
500 9,01828 4 509,14
1 000 8,27194 8 271,94

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