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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFH18N100Q3-ND
Quantité disponible 213
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH18N100Q3

Description MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFx18N100Q3
Produit représenté Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 660 mOhms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 6,5V à 4mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 90nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 4890pF à 25V
Puissance max. 830W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

00:30:03 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,45000 13,45
10 12,22300 122,23
25 11,30600 282,65
100 10,38920 1 038,92
250 9,47248 2 368,12
500 8,86136 4 430,68
1 000 8,12801 8 128,01

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