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Référence Digi-Key IXFH16N120P-ND
Quantité disponible 122
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH16N120P

Description MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 16A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(H,T)16N120P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, PolarP2™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 6,5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6900 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 660 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 950 mOhms à 8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

05:38:15 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 14,13000 14,13
10 12,84600 128,46
25 11,88280 297,07
100 10,91910 1 091,91
250 9,95560 2 488,90
500 9,31332 4 656,66

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