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Référence Digi-Key IXFH12N100-ND
Quantité disponible 20
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH12N100

Description MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFH/IXFM(10,12)N100
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 4 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 155 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,05 Ohms à 6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

15:57:23 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 14,65000 14,65
10 13,32200 133,22
25 12,32240 308,06
100 11,32350 1 132,35
250 10,32432 2 581,08

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