Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFH12N100-ND
Quantité disponible 530
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFH12N100

Description MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFH/IXFM(10,12)N100
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 155nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4000pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,05 Ohms à 6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AD (IXFH)
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

07:50:01 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 14,19000 14,19
10 12,90000 129,00
25 11,93240 298,31
100 10,96480 1 096,48
250 9,99728 2 499,32
500 9,35230 4 676,15
1 000 8,57831 8 578,31

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires