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Référence Digi-Key IXFB100N50P-ND
Quantité disponible 335
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFB100N50P

Description MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Description étendue N-Channel 500V 100A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IXFB100N50P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, PolarHT™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 240nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 20000pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1890 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 49 mOhms à 50A, 10V
Température d’utilisation -
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PLUS264™
Boîtier TO-264-3, TO-264AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25

00:30:45 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 20,04000 20,04
10 18,53800 185,38
25 17,03440 425,86
100 15,83210 1 583,21
250 14,52944 3 632,36
500 13,82804 6 914,02

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