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Référence Digi-Key IXFA6N120P-ND
Quantité disponible 164
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFA6N120P

Description MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P,H)6N120P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, PolarP2™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 92 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2830 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,4 Ohms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (IXFA)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

10:56:33 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,01000 7,01
10 6,31200 63,12
25 5,75040 143,76
100 5,18950 518,95
250 4,76868 1 192,17
500 4,34790 2 173,95
1 000 3,78688 3 786,88

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