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Référence Digi-Key IXFA6N120P-ND
Quantité disponible 170
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFA6N120P

Description MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P,H)6N120P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, PolarP2™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 92nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2830pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,4 Ohms à 500mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (IXFA)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

03:11:25 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,80000 6,80
10 6,11200 61,12
25 5,56840 139,21
100 5,02500 502,50
250 4,61760 1 154,40
500 4,21016 2 105,08
1 000 3,66692 3 666,92
2 500 3,53110 8 827,76

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