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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFA10N60P-ND
Quantité disponible 110
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFA10N60P

Description MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P)10N60P
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, PolarP2™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 740 mOhms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 32nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1610pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur TO-263 (IXFA)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

04:03:18 12/11/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,74000 2,74
10 2,45200 24,52
25 2,20680 55,17
100 2,01070 201,07
250 1,81452 453,63
500 1,62816 814,08
1 000 1,37315 1 373,15
2 500 1,30450 3 261,24
5 000 1,25545 6 277,27

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