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Référence Digi-Key IXFA10N60P-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IXFA10N60P

Description MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Description étendue N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P)10N60P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, PolarP2™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1610 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 740 mOhms à 5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (IXFA)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

14:15:44 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,89000 2,89
10 2,57700 25,77
25 2,31960 57,99
100 2,11320 211,32
250 1,90708 476,77
500 1,71120 855,60
1 000 1,44319 1 443,19
2 500 1,37103 3 427,57

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