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Référence Digi-Key IXFA10N60P-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IXFA10N60P

Description MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Description étendue N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P)10N60P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, PolarP2™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1610 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 740 mOhms à 5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (IXFA)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

15:13:29 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,72000 2,72
10 2,42700 24,27
25 2,18480 54,62
100 1,99040 199,04
250 1,79624 449,06
500 1,61176 805,88
1 000 1,35932 1 359,32
2 500 1,29136 3 228,39
5 000 1,24281 6 214,04

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