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Référence Digi-Key IXDN75N120-ND
Quantité disponible 38
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXDN75N120

Description IGBT 1200V 150A SOT-227B
Description étendue IGBT Module NPT Single 1200V 150A 660W Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXDN75N120
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Statut de la pièce Actif
Type IGBT NPT
Configuration Simple
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 150 A
Puissance max. 660 W
Vce(on) (max) à Vge, Ic 2,7 V à 15 V, 75 A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 4 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce 5,5nF à 25V
Entrée Standard
Thermistance NTC Non
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
Boîtier fournisseur SOT-227B
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

15:19:46 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 33,59000 33,59
10 31,07200 310,72
25 28,55240 713,81
100 26,53680 2 653,68
250 24,35344 6 088,36

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