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Présentation des produits
Référence Digi-Key SPW55N80C3FKSA1-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SPW55N80C3FKSA1

Description MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPW55N80C3
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C3
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 54,9A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 85 mOhms à 32,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 3,3mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 288nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 7520pF à 100V
Puissance max. 500W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms SP000849356

08:11:39 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,35000 12,35
10 11,34200 113,42
100 9,57880 957,88
500 8,52100 4 260,50
1 000 7,81581 7 815,81

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