Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key SPW55N80C3FKSA1-ND
Quantité disponible 376
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPW55N80C3FKSA1

Description MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
Description étendue N-Channel 800V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPW55N80C3
Produit représenté Data Processing Systems
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C3
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 54,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9 V à 3,3 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 288 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7520 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 500 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 85 mOhms à 32,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
  • IXFH50N85X - IXYS | IXFH50N85X-ND DigiKey Electronics
  • IXFH50N85X
  • IXYS
  • 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  • Prix unitaire 11,26000
  • IXFH50N85X-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms SP000849356

11:55:49 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,22000 12,22
10 11,22700 112,27
100 9,48230 948,23
500 8,43516 4 217,58
1 000 7,73708 7 737,08

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires