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Référence Digi-Key SPW55N80C3FKSA1-ND
Quantité disponible 715
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPW55N80C3FKSA1

Description MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
Description étendue N-Channel 800V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPW55N80C3
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C3
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 54,9A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 3,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 288nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7520pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 85 mOhms à 32,6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms SP000849356

18:55:07 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,56000 12,56
10 11,54300 115,43
100 9,74840 974,84
500 8,67188 4 335,94
1 000 7,95421 7 954,21

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