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Référence Digi-Key SPW47N60C3IN-ND
Quantité disponible 2 603
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPW47N60C3

Description MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
Description étendue N-Channel 650V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPW47N60C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
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Page de catalogue 1532 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 47 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9 V à 2,7 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 320 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 415 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 70 mOhms à 30 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Colis standard ? 240
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SPW47N60C3XTIN-ND

12:42:18 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,99000 10,99
10 10,09600 100,96
100 8,52670 852,67
500 7,58504 3 792,52
1 000 6,95730 6 957,30

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