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Référence Digi-Key SPW35N60C3IN-ND
Quantité disponible 288
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPW35N60C3

Description MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
Description étendue N-Channel 650V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPW35N60C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1532 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 34,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1,9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 200nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4500pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 313 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 21,9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Colis standard ? 240
Autres Noms SP000014970
SPW35N60C3-ND
SPW35N60C3FKSA1
SPW35N60C3IN
SPW35N60C3X
SPW35N60C3XK

18:04:26 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,18000 8,18
10 7,38700 73,87
100 6,11560 611,56
500 5,32534 2 662,67
1 000 4,63820 4 638,20

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