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Présentation des produits
Référence Digi-Key SPW32N50C3FKSA1-ND
Quantité disponible 419
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPW32N50C3FKSA1

Description MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
Description étendue N-Channel 560V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPW32N50C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 560V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9 V à 1,8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 170 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 284 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 110 mOhms à 20 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms SP000014625
SPW32N50C3
SPW32N50C3-ND
SPW32N50C3IN
SPW32N50C3IN-ND
SPW32N50C3X
SPW32N50C3XK

09:17:50 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,28000 6,28
10 5,67400 56,74
100 4,69800 469,80
500 4,09090 2 045,45
1 000 3,56304 3 563,04

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