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Présentation des produits
Référence Digi-Key SPW20N60C3IN-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SPW20N60C3

Description MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPW20N60C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1532 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20,7A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 13,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 114nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2400pF à 25V
Puissance max. 208W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK

16:53:16 12/2/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,67000 4,67
10 4,19200 41,92
100 3,43480 343,48
500 2,92396 1 461,98
1 000 2,46600 2 466,00

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