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Référence Digi-Key SPW17N80C3IN-ND
Quantité disponible 6 213
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPW17N80C3

Description MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
Description étendue N-Channel 800V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPW17N80C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1532 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 177 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2320 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 227 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 290 mOhms à 11 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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SPW17N80C3XTIN-ND

04:05:34 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,91000 4,91
10 4,40800 44,08
100 3,61210 361,21
500 3,07490 1 537,45
1 000 2,59330 2 593,30

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