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Référence Digi-Key SPW17N80C3IN-ND
Quantité disponible 6 457
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPW17N80C3

Description MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
Description étendue N-Channel 800V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPW17N80C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1532 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 177nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2320pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 227 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 290 mOhms à 11A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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SPW17N80C3XTIN-ND

18:23:04 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,05000 5,05
10 4,53200 45,32
100 3,71350 371,35
500 3,16120 1 580,60
1 000 2,66607 2 666,07

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