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Référence Digi-Key SPP80P06P H-ND
Quantité disponible 6 010
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPP80P06P H

Description MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Description étendue P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPB,SPP80P06P H
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série SIPMOS®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 5,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 173nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5033pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 340 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 23 mOhms à 64A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 500
Autres Noms SP000441774
SPP80P06P G
SPP80P06P G-ND
SPP80P06PH
SPP80P06PHXKSA1

13:26:09 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,63000 2,63
10 2,36600 23,66
100 1,90130 190,13
500 1,56208 781,04
1 000 1,29429 1 294,29

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