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Référence Digi-Key SPP80P06P H-ND
Quantité disponible 35
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPP80P06P H

Description MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPB,SPP80P06P H
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série SIPMOS®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 23 mOhms à 64A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 5,5mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 173nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 5033pF à 25V
Puissance max. 340W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
 
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Colis standard ? 500
Autres Noms SP000441774
SPP80P06P G
SPP80P06P G-ND
SPP80P06PH
SPP80P06PHXKSA1

16:22:09 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,58000 2,58
10 2,32500 23,25
100 1,86820 186,82
500 1,53490 767,45
1 000 1,27177 1 271,77

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