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Référence Digi-Key SPP20N60C3XKSA1-ND
Quantité disponible 292
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPP20N60C3XKSA1

Description MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
Description étendue N-Channel 600V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPx20N60C3
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20,7A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 114nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2400pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 208 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 13,1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000681058

08:04:40 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,04000 4,04
10 3,62600 36,26
100 2,97130 297,13
500 2,52948 1 264,74
1 000 2,13329 2 133,29

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