Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key SPP11N80C3XKSA1-ND
Quantité disponible 471
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPP11N80C3XKSA1

Description MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
Description étendue N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPP11N80C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9 V à 680 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 156 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 7,1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000683158
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3IN-ND
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3XTIN-ND

14:15:29 3/1/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,30000 2,30
10 2,07200 20,72
100 1,66550 166,55
500 1,36834 684,17
1 000 1,13378 1 133,78

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires