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Référence Digi-Key SPP11N80C3XKSA1-ND
Quantité disponible 490
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPP11N80C3XKSA1

Description MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
Description étendue N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPP11N80C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 680µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 85nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1600pF à 100V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 156W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 7,1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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SPP11N80C3XTIN-ND

16:34:32 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,34000 2,34
10 2,10700 21,07
100 1,69340 169,34
500 1,39124 695,62
1 000 1,15276 1 152,76

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