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Présentation des produits
Référence Digi-Key SPP11N80C3XKSA1-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SPP11N80C3XKSA1

Description MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPP11N80C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 7,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 680µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 85nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1600pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
 
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SPP11N80C3XTIN-ND

09:09:40 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,30000 2,30
10 2,07000 20,70
100 1,66390 166,39
500 1,36704 683,52
1 000 1,13270 1 132,70

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