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Référence Digi-Key SPB80P06PGINCT-ND
Quantité disponible 9 590
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPB80P06P G

Description MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
Description étendue P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPB80P06P G
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1536 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série SIPMOS®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 5,5 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 173 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5033 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 340 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 23 mOhms à 64 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SPB80P06PGINCT

17:30:42 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,70000 2,70
10 2,42100 24,21
100 1,94580 194,58
500 1,59868 799,34

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SPB80P06PGINTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 1,28603
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