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Présentation des produits
Référence Digi-Key SPA11N80C3IN-ND
Quantité disponible 27 752
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPA11N80C3

Description MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPA11N80C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Conception/spécification PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Assemblage/origine PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 7,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 680µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 85nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1600pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
 
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Colis standard ? 500
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SPA11N80C3XTIN-ND

03:21:10 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,42000 2,42
10 2,17500 21,75
100 1,74770 174,77
500 1,43586 717,93
1 000 1,18972 1 189,72

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