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Présentation des produits
Référence Digi-Key SPA11N80C3IN-ND
Quantité disponible 27 697
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPA11N80C3

Description MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Description étendue N-Channel 800V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPA11N80C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Assemblage/origine PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 680µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 34W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 7,1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Colis standard ? 500
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SPA11N80C3XTIN-ND

20:42:43 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,47000 2,47
10 2,21300 22,13
100 1,77860 177,86
500 1,46130 730,65
1 000 1,21079 1 210,79

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