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Présentation des produits
Référence Digi-Key SPA04N80C3IN-ND
Quantité disponible 1 379
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPA04N80C3

Description MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
Description étendue N-Channel 800V 4A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPA04N80C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Assemblage/origine PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9 V à 240 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 570 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 38 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,3 Ohms à 2,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000216300
SPA04N80C3IN
SPA04N80C3X
SPA04N80C3XK
SPA04N80C3XKSA1
SPA04N80C3XTIN
SPA04N80C3XTIN-ND

18:43:53 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,40000 1,40
10 1,25600 12,56
100 0,97900 97,90
500 0,80870 404,35
1 000 0,63844 638,44

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