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Présentation des produits
Référence Digi-Key SPA03N60C3IN-ND
Quantité disponible 11 470
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SPA03N60C3

Description MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SPP,SPA03N60C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Conception/spécification PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Assemblage/origine PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,4 Ohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 135µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 17nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 400pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000216296
SPA03N60C3IN
SPA03N60C3XK
SPA03N60C3XKSA1

01:06:16 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,19000 1,19
10 1,05900 10,59
100 0,82580 82,58
500 0,68218 341,09
1 000 0,53856 538,56

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