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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRLU3410PBF-ND
Quantité disponible 11 803
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLU3410PBF

Description MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLR/U3410PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRLU3410PBF Saber Model
IRLU3410PBF Spice Model
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Assemblage/origine PCN Assembly Site Addition 30/Jun/2014
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 105 mOhms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 34nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 800pF à 25V
Puissance max. 79W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-ND
SP001574164

12:23:39 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,79000 0,79
10 0,71200 7,12
100 0,55530 55,53
500 0,45872 229,36
1 000 0,36215 362,15

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