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Référence Digi-Key IRLU3410PBF-ND
Quantité disponible 4 532
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLU3410PBF

Description MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
Description étendue N-Channel 100V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLR/U3410PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRLU3410PBF Saber Model
IRLU3410PBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Assemblage/origine PCN Assembly Site Addition 30/Jun/2014
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 34 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±16 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 79 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 105 mOhms à 10 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-ND
SP001574164

11:40:25 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,78000 0,78
10 0,70500 7,05
100 0,54970 54,97
500 0,45410 227,05
1 000 0,35850 358,50

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