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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRLU120NPBF-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IRLU120NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLR/U120NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRLU120NPBF Saber Model
IRLU120NPBF Spice Model
Conception/spécification PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Assemblage/origine PCN Assembly Site Addition 30/Jun/2014
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1436 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 185 mOhms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 20nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 440pF à 25V
Puissance max. 48W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRLU120NPBF
SP001567330

10:15:30 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,78000 0,78
10 0,68500 6,85
100 0,52490 52,49
500 0,41496 207,48
1 000 0,33197 331,97

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