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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRLI530NPBF-ND
Quantité disponible 3 225
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLI530NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 5 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLI530NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRLI530N Saber Model
IRLI530N Spice Model
Conception/spécification PCN Alternate Mold Compound 02/Jul/2014
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 23/Apr/2014
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 34nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 800pF à 25V
Puissance max. 41W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRLI530NPBF
SP001573830

01:58:00 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,26000 1,26
10 1,13000 11,30
100 0,88070 88,07
500 0,72750 363,75
1 000 0,57435 574,35

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