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Référence Digi-Key IRLI520NPBF-ND
Quantité disponible 6 993
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLI520NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
Description étendue N-Channel 100V 8.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLI520NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Alternate Mold Compound 02/Jul/2014
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 23/Apr/2014
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 20nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 440pF à 25V
Vgs (Max) ±16V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220AB
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRLI520NPBF
SP001576820

09:29:00 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,07000 1,07
10 0,96300 9,63
100 0,75060 75,06
500 0,62004 310,02
1 000 0,48950 489,50

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