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Référence Digi-Key IRLB4030PBF-ND
Quantité disponible 817
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLB4030PBF

Description MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11360 pF à 50 V
Vgs (max.) ±16 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 370 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,3 mOhms à 110 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001552594

14:24:44 3/1/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,52000 3,52
10 3,16100 31,61
100 2,59010 259,01
500 2,20482 1 102,41
1 000 1,85949 1 859,49

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