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Référence Digi-Key IRLB4030PBF-ND
Quantité disponible 330
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLB4030PBF

Description MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 130nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 11360pF à 50V
Vgs (Max) ±16V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,3 mOhms à 110A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001552594

03:41:41 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,58000 3,58
10 3,21400 32,14
100 2,63340 263,34
500 2,24172 1 120,86
1 000 1,89061 1 890,61

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