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Référence Digi-Key IRLB3813PBF-ND
Quantité disponible 9 812
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLB3813PBF

Description MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
Description étendue N-Channel 30V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 260A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,35V à 150µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8420pF à 15V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,95 mOhms à 60A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 64-0084PBF
64-0084PBF-ND
SP001558110

09:18:59 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,93000 1,93
10 1,73400 17,34
100 1,39430 139,43
500 1,14552 572,76
1 000 0,94915 949,15

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