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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRL60B216-ND
Quantité disponible 1 572
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL60B216

Description MOSFET N-CH 60V 195A
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 13 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL60B216
Conditionnement PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,9 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 258nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 15570pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001568416

03:14:30 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,85000 2,85
10 2,55700 25,57
100 2,09470 209,47
500 1,78316 891,58
1 000 1,50387 1 503,87

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