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Référence Digi-Key IRL60B216-ND
Quantité disponible 1 543
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL60B216

Description MOSFET N-CH 60V 195A
Description étendue N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL60B216
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 258nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15570pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,9 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001568416

03:14:17 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,90000 2,90
10 2,60200 26,02
100 2,13180 213,18
500 1,81474 907,37
1 000 1,53050 1 530,50

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