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Référence Digi-Key IRL60B216-ND
Quantité disponible 1 403
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL60B216

Description MOSFET N-CH 60V 195A
Description étendue N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL60B216
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 258 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15570 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,9 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001568416

08:33:55 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,82000 2,82
10 2,53100 25,31
100 2,07360 207,36
500 1,76520 882,60
1 000 1,48872 1 488,72

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