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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRL530NPBF-ND
Quantité disponible 1 127
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL530NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL530NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRL530NPBF Saber Model
IRL530NPBF Spice Model
Assemblage/origine PCN TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 34nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 800pF à 25V
Puissance max. 79W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRL530NPBF
64-0095PBF
64-0095PBF-ND
SP001578734

06:44:50 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,23000 1,23
10 1,09600 10,96
100 0,85460 85,46
500 0,70600 353,00
1 000 0,55737 557,37

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