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Référence Digi-Key IRL520NPBF-ND
Quantité disponible 1 078
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL520NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL520NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440pF à 25V
Vgs (max.) ±16V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 48 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRL520NPBF
SP001558080

00:17:12 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,09000 1,09
10 0,98000 9,80
100 0,76380 76,38
500 0,63098 315,49
1 000 0,49814 498,14

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