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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRL520NPBF-ND
Quantité disponible 2 059
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL520NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL520NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 20nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 440pF à 25V
Puissance max. 48W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRL520NPBF
SP001558080

10:54:29 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,08000 1,08
10 0,96300 9,63
100 0,75050 75,05
500 0,62000 310,00
1 000 0,48947 489,47

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