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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRL40B209-ND
Quantité disponible 1 391
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL40B209

Description MOSFET N-CH 40V 195A
Description étendue N-Channel 40V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL40B209
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 270 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15140 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,25 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001576458

15:03:25 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,99000 2,99
10 2,68700 26,87
100 2,20150 220,15
500 1,87410 937,05
1 000 1,58057 1 580,57

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