Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRL40B209-ND
Quantité disponible 1 569
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL40B209

Description MOSFET N-CH 40V 195A
Description étendue N-Channel 40V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL40B209
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Attributs des produits Sélectionner tout
Categories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 270nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 15140pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,25 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001576458

09:27:24 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,90000 2,90
10 2,60200 26,02
100 2,13180 213,18
500 1,81474 907,37
1 000 1,53050 1 530,50

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires