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Référence Digi-Key IRL2203NPBF-ND
Quantité disponible 719
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL2203NPBF

Description MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
Description étendue N-Channel 30V 116A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL2203NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Ressources de conception IRL2203N Saber Model
IRL2203N Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 116 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3290pF à 25V
Vgs (max.) ±16V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 180 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7 mOhms à 60A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRL2203NPBF
SP001573688

05:20:55 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,74000 1,74
10 1,56200 15,62
100 1,25520 125,52
500 1,03130 515,65
1 000 0,85451 854,51

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