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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRL1404PBF-ND
Quantité disponible 2 931
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL1404PBF

Description MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB
Description étendue N-Channel 40V 160A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL1404PbF
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Ressources de conception IRL1404PBF Saber Model
IRL1404PBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,3V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 140 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6590 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4 mOhms à 95 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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  • 1050-1040-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRL1404PBF
SP001578568

09:52:45 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,85000 2,85
10 2,56100 25,61
100 2,05850 205,85
500 1,69124 845,62
1 000 1,40131 1 401,31

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