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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRL1404PBF-ND
Quantité disponible 80
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL1404PBF

Description MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB
Description étendue N-Channel 40V 160A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL1404PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Ressources de conception IRL1404PBF Saber Model
IRL1404PBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,3V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 140nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6590pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4 mOhms à 95A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRL1404PBF
SP001578568

11:35:07 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,76000 2,76
10 2,48000 24,80
100 1,99330 199,33
500 1,63766 818,83
1 000 1,35692 1 356,92

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