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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRG4PH50S-EPBF-ND
Quantité disponible 156
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRG4PH50S-EPBF

Description IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AD
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRG4PH50S-EPbF
Module(s) de formation sur le produit IGBT Primer Device and Applications
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Assemblage/origine PCN Tin Electro-Plating Metal 04/Jan/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1433 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - IGBT - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type IGBT -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 57A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 114A
Vce(on) (max) à Vge, Ic 1,7V à 15V, 33A
Puissance max. 200W
Énergie de commutation 1,8mJ (Marche), 19,6mJ (arrêt)
Type d’entrée Standard
Charge de grille 167nC
Td (on/off) à 25°C 32ns/845ns
Condition de test 960V, 33A, 5 Ohms, 15V
Temps de recouvrement inverse (trr) -
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247AD
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms IRG4PH50SEPBF
SP001545684

02:22:46 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,33000 5,33
10 4,78300 47,83
100 3,91930 391,93
500 3,33650 1 668,25
1 000 2,81391 2 813,91

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