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Référence Digi-Key IRFZ48VPBF-ND
Quantité disponible 975
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFZ48VPBF

Description MOSFET N-CH 60V 72A TO-220AB
Description étendue N-Channel 60V 72A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFZ48VPbF
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Automatic Opening Systems
Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 72 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1985 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12 mOhms à 43 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFZ48VPBF
SP001550284

23:52:47 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,53000 1,53
10 1,37100 13,71
100 1,10210 110,21
500 0,90546 452,73
1 000 0,75024 750,24

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