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Référence Digi-Key IRFZ48VPBF-ND
Quantité disponible 1 585
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFZ48VPBF

Description MOSFET N-CH 60V 72A TO-220AB
Description étendue N-Channel 60V 72A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFZ48VPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Automatic Opening Systems
Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1985pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12 mOhms à 43A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFZ48VPBF
SP001550284

00:30:31 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,48000 1,48
10 1,32700 13,27
100 1,06720 106,72
500 0,87678 438,39
1 000 0,72647 726,47

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