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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFZ48NPBF-ND
Quantité disponible 1 969
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFZ48NPBF

Description MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFZ48NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRFZ48NPBF Saber Model
IRFZ48NPBF Spice Model
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 64A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 14 mOhms à 32A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 81nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1970pF à 25V
Puissance max. 130W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFZ48NPBF
SP001552474

11:51:35 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,37000 1,37
10 1,22400 12,24
100 0,95440 95,44
500 0,78844 394,22
1 000 0,62245 622,45

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